LOW VF溝槽式肖特基芯片：


溝槽工藝與平面工藝的區別


平面肖特基二極管具有優異的高頻特性和較低的正向開啟電壓,這些獨特的性質使得其在太陽能電池,開關電源、汽車以及手機等多個領域都有著巨大的應用潛力。但是,在反向偏壓下,鏡像力導致的勢壘降低效應,導致了平面肖特基二極管阻斷能力差的缺點。TMBS結構的出現很好地解決這個問題,其主要有兩個肖特基結相結合的雙勢壘金屬肖特基結二極管器件、利用PN結與肖特基結結合的含PN結構的肖特基二極管,以及利用金屬-氧化物-半導體結構和肖特基結結合的溝槽式勢壘肖特基二極管(TMBS),并且TMBS由于優異的高頻特性及結構參數的易調性,受到了更為廣泛的關注。


溝槽芯片


優勢 具有較低的動態內阻、VF與IR的易調性可以滿足各種不同方案的使用需求。